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晶体硅光伏组件生产工艺详解

发布时间:2023-06-25


1.晶体硅生长

晶体硅生长是制造晶体硅光伏组件的第一步。主要工艺包括三种方法:Czochralski 法、Float-Zone 法和本征晶体法。其中,Czochralski 法是生产晶体硅最常用的方法。在这一工艺中,熔融硅在玻璃中被搅拌,以达到均匀的温度和成分分布。

2.硅片制备

硅片通常采用加工砂芯的方法制备,将直径为 200 毫米至 300 毫米的硅晶体切割锯成薄片,厚度通常在 150 至 300 微米之间,然后通过两面研磨等加工,使其具有良好的表面粗糙度和光学性能

3.电池片生产

电池片生产是晶体硅光伏组件生产的核心,包括MWT电池片技术和PERC电池片技术两种工艺。其中,MWT 电池技术主要是通过将铝硅片研磨成窄条,将其固定在硅片的正面,然后沉积厚度为 200 ~ 300nm 的铝反射膜,再在正面涂上硅胶,形成 p 型结构;PERC 电池技术则是在晶体硅表面形成 p 型结构以上,再在表面蚀刻出电子精密孔,然后形成 n 型结构,最后沉积反射膜和透明导电膜。

4.封装

封装是将电池片制作成光伏组件的最后一道工序,主要包括清洗、切割、电池排布、焊线、封装带、强化玻璃等环节。其中,选择合适的封装材料和工艺是提高光伏组件性能的关键,有利于组件的长期稳定性和功率输出。

总之,晶体硅光伏组件的制作过程非常复杂,需要涵盖晶体硅生长、硅片制备、电池制造和封装等多个阶段。每个环节都需要使用专业设备和工艺,以确保产品质量稳定、性能可靠。同时,生产商还需要注意防止各种污染源,如氧化和晶体成核,以提高产品质量和性能稳定性。

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